继卡位176层3D NAND技术制高点后,美光再次宣布DRAM技术突破

美光宣布批量出货1αnm(1-alpha)节点DRAM产品,新一代先进技术与之前的1Znm节点相比,存储密提高了40%,功耗和性能方面也都有明显的改善。

美光表示,已经在台湾地区的工厂批量生产1αnm工艺节点的DRAM,为8Gb和16Gb容量,首先是面向PC客户推出DDR4和消费类Crucial PC DRAM产品,同时面向移动市场推出的LPDDR4样品也已进入认证阶段,预计将在2021年也会推出基于该技术的其他新产品,比如LPDDR5。