西数/铠侠今年量产162层第六代BiCS闪存

据外媒TechPowerUp消息，西部数据与铠侠合作，将在今年量产第六代BiCS NAND，该产品采用了162层NAND闪存堆叠技术。

据悉，西部数据与铠侠的162层NAND闪存将达到竞争对手176层的容量，而且芯片尺寸更小，单晶圆可达100TB，比上一代70TB的单晶圆大幅增加。

西部数据与铠侠还公布了未来的路线图，2024年的BiCS+层数超过200层，如果一切按计划进行，2032年应该会看到500层NAND闪存。