美光发布业界首款车用LPDDR5

美光近日宣布,已开始出样业内首款车用低功耗 DDR5 DRAM (LPDDR5) 内存。该款内存经过硬件评估,满足最高级别的汽车安全完整性等级 (ASIL) 标准,即 ASILD。

该款 LPDDR5 DRAM 已通过功能安全评估,可用于高级驾驶辅助系统 (ADAS) 技术,包括自适应巡航控制系统、自动紧急刹车系统、车道偏离警告系统以及盲区侦测系统 。它同时具备高性能、低功耗和低延迟特性,为满足日益增长的下一代汽车系统带宽需求提供了性能保障和发展空间。

随着 ADAS 和自动驾驶技术应用的日益普及,数据采集和高效处理能力正逐渐成为汽车创新的关键所在。Gartner预测汽车内存的市场规模将在 2020 年 24 亿美元的基础上翻番,成长至 2024 年的 63 亿美元 。伴随数据密集型汽车技术的崛起,如今配备 ADAS 的车辆运行超过 1 亿行代码,每秒需进行高达数百万亿次的数据处理,可匹敌数据中心。LPDDR5 能将数据访问速度提高 50%,将能效提升 20% 以上 ,从而有效应对这些需求。这使智能汽车能够近乎实时地处理和决策来自多个传感器和数据源的数据,例如雷达、激光雷达、高分辨率成像、5G 网络和光学图像识别等。

LPDDR5 的高能效可助力实现汽车的高性能计算,同时大幅降低电动汽车和传统汽车的能耗,从而实现更加环保的交通出行,减少尾气排放。美光的车用 LPDDR5 还加强了稳固性,可应用于极端温度范围,符合多种汽车可靠性标准,包括美国汽车电子协会的 AEC-Q100 规范和国际汽车工作组的 IATF 16949 标准。

三星、英飞凌、恩智浦厂房断电

受到德州大雪影响,车用芯片大厂恩智浦、英飞凌以及存储器大厂三星奥斯汀的厂房皆停电无法生产,加剧芯片缺货荒的情况。

德州供电业者奥斯汀能源(Austin Energy)周二(16 日)出面证实,由于大雪影响发电与电力输送导致多地区出现停电,已事先通知三星、恩智浦与英飞凌半导体业者,将三家企业厂房先行断电停工。

三星发言人 Michele Glaze 表示,奥斯汀能源通知三星厂房须断电停产后已逐步暂停所有产线,并针对生产中的设备和晶圆采取安全防护措施以防损坏,未来一旦恢复供电将恢复生产,不过何时能复工仍为未知数。

三星奥斯汀工厂主要14/11nm产能以生产高通(Qualcomm)5G RFIC为主,其余65~28nm产能则分配给自家System LSI产品;此外,特斯拉(Tesla)及瑞萨(Renesas)等车用半导体亦有在此厂生产。尽管三星已有针对停电提前进行应对措施,目前观察并无晶圆损坏报废,仅部分产品需面临交期延长的情况,但在各项半导体终端需求仍然强劲,加上车用半导体需求吃紧,导致晶圆代工各制程产能多半一片难求的市况下,交期延长更为市场增添紧张氛围。

该厂虽已停止制造NAND Flash,但仍为三星LSI投产14~40nm NAND Flash/SSD controller的厂房之一,由于投片量不高,加上已提前做好准备,因此仅会导致交期小幅延长,对于整体的产出不会有显著影响。

继卡位176层3D NAND技术制高点后,美光再次宣布DRAM技术突破

美光宣布批量出货1αnm(1-alpha)节点DRAM产品,新一代先进技术与之前的1Znm节点相比,存储密提高了40%,功耗和性能方面也都有明显的改善。

美光表示,已经在台湾地区的工厂批量生产1αnm工艺节点的DRAM,为8Gb和16Gb容量,首先是面向PC客户推出DDR4和消费类Crucial PC DRAM产品,同时面向移动市场推出的LPDDR4样品也已进入认证阶段,预计将在2021年也会推出基于该技术的其他新产品,比如LPDDR5。

美光携手联想、联宝科技成立联合实验室

美光科技股份有限公司近日宣布携手联想及联宝科技 (联想旗下最大的制造和研发机构) 成立联合实验室。该实验室是内存和存储业界首家同时联合原始设计制造商 (ODM) 及原始设备制造商 (OEM) 的联合实验室。

这种独特的三方合作模式将加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿创新技术 (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在联想产品设计中的应用,从而更好地满足用户的核心工作负载需求。

为了应对远程办公、远程教育及网络游戏市场需求的持续上升,三方公司的合作将聚焦加速 PC 及笔记本电脑的开发周期。美光将参与开发平台的测试和评估,并根据内存和存储需求为客户实现系统优化提供差异化的产品。本次合作不仅增强了联想的研发实力,而且还将确保未来产品规划与产品应用功能直接挂钩,推动个人计算设备在性能、功效和便携性方面实现突破。

美光科技-联想-联宝实验室进一步延续了美光与联想的长期合作伙伴关系。双方在过去二十余年于数据中心、智能边缘、客户端及移动通信等多个领域均开展了成功合作。

第51期 市场信息简报

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第52期 市场信息简报

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2020年12月第四期

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美光荣膺 VIVO 年度最佳交付奖

近日,美光荣膺国际手机大厂 VIVO 颁发的 2020 年最佳交付奖!这也是蓝源作为美光在VIVO的代理,受到认可的光辉时刻。

美光是 VIVO 重要的存储技术伙伴,有着超过10年的合作经历,合作了超过50款机型,提供的产品及解决方案全面覆盖 DRAM 和 NAND。

美光开始量产176层3D NAND

内存和存储解决方案领先供应商,美光科技股份有限公司今日宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存,一举刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的重大提升。美光全新的 176 层工艺与先进架构共同促成了此项重大突破,使数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用得以受益,实现性能上的巨大提升。

该款 176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构,是市场上最先进的 NAND 技术节点。与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比,176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上,极大地提高了应用的性能。美光的 176 层 NAND 采用紧凑型设计,裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近 30%,是满足小尺寸应用需求的理想解决方案。

美光 176 层 NAND 的服务质量 (QoS2) 进一步提升, 这对数据中心 SSD 的设计标准而言至关重要——它能更快应对数据密集型环境和工作负载,例如数据湖、人工智能 (AI) 引擎和大数据分析。对于 5G 智能手机而言,提升的 QoS 意味着多个应用程序启动和切换更加快速,带来流畅、反应迅速的移动体验,真正实现多任务处理和 5G 低延迟网络的充分利用。

在开放式 NAND 闪存接口 (ONFI) 总线上,美光第五代 3D NAND 也实现了行业领先的 1600 MT/秒最大数据传输速率,比此前提升了 33%4更快的 ONFI 速度意味着系统启动更迅速、应用程序性能更出众。在汽车应用中,这种速度将让车载系统在发动机启动后近乎即时地响应,从而为用户带来更好的体验。

供应情况

美光 176 层三层单元 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圆制造工厂量产并向客户交付,包括通过其英睿达 (Crucial) 消费级 SSD 产品线。美光将在 2021 日历年推出基于该技术的更多新产品。